Свободную поверхностную энергию сферического кристалла можно подсчитать исходя из структуры кристалла. Указанное выше среднее отношение свободной поверхностной энергии применимо ко всем поверхностям, на которых каждая возможная грань имеет одинаковую вероятность появления, и в особенности к сферическим монокристаллам и к сферическим порам в монокристалле. Трудно предсказать структуру линз, образующихся между двумя спекающимися друг с другом частицами, но если материал кристаллический и имеет изогнутую поверхность, среднее отношение вполне применимо.

Аналогичным образом оно применимо к любым сферическим порам в кристаллическом материале; поэтому среднее отношение должно входить в любое кинетическое уравнение, учитывающее свободную поверхностную энергию, и применимо для описания начальной или конечной стадии спекания твердых веществ. Дефекты в кристаллах (дислокации, границы зерен и т. д.) оказывают незначительное влияние на удельную свободную поверхностную энергию.

За последние годы значительный интерес вызывают электрические свойства твердых растворов окиси кальция и некоторых окислов III группы (например, окись иттрия в окиси циркония).

Рентгенографически установлено, что эти твердые растворы, обладающие структурой флюорита, содержат анионные вакансии, количество которых прямо пропорционально мольной доле катиона с низкой валентностью.

Можно ожидать, что число переноса иона кислорода при высокой концентрации дефектов в анионной решетке близко к единице; такие материалы практически ведут себя, как электролиты. Аналогичные твердые электролиты образуются и при использовании окиси тория в качестве растворителя.

Поскольку чистая окись тория обладает структурой флюорита, интервал образования твердых растворов на ее основе шире, чем при использовании окиси циркония, где -10% (мол.) окиси кальция или иттрия требуется для стабилизации структуры флюорита.