Результаты исследования роста зерен в керамике титаната бария

Результаты исследования роста зерен в керамике титаната барияС другой стороны, в этих системах существует огромное различие ширины пиков кривых в зависимости от состава, так как пики на каждой кривой материала на основе твердого раствора практически шире пиков на кривой своей собственной бинарной системы. Таким образом, элементы, которые вводят в твердые растворы, определенно влияют на их свойства. На практике можно разработать составы конденсаторных материалов, имеющих незначительную температурную зависимость диэлектрической постоянной при ее величине около 10000.

В описанной работе не учитывали требований, предъявляемых к материалу с точки зрения других свойств, таких как диэлектрические потери, продолжительность службы, прочность на пробой и т. ц. Для практического использования любого данного материала должен определяться оптимум величин этих остальных свойств небольшим изменением состава за счет введения небольших количеств добавок или изменением условий различных этапов приготовления. Таким образом, количественные методы оценки, охватывающие различные системы щелочноземельных титанатов, цирконатов и станнатов, до сих пор отсутствуют размер зерен спекшегося титаната бария В этой статье будут представлены результаты исследования роста зерен в керамике титаната бария, который влияет на диэлектрические свойства материала.

В этой связи можно произвести сравнение свойств титаната бария с другой электротехнической керамикой — ферроокисными материалами, используемыми для постоянных магнитов и состоящими главным образом из соединения BaFe120i9, в которых магнитные характеристики зависят от плотности и размеров кристаллитов. ВаТЮ3 хорошо известен как сегнетоэлектрическое соединение, которое даже в поликристаллическом состоянии после поляризации обладает значительным пьезоэлектрическим эффектом.

ВаТЮ3 используют в качестве диэлектрического материала высокой емкости. С точки зрения такого применения его сегнетоэлектрические свойства невыгодны.

Существование гистерезиса в зависимости диэлектрической проницаемости делает его очень чувствительным к влиянию амплитуды электрического поля переменного тока и поля смещения при постоянном токе.

Комментарии запрещены.