В случае термоудара плазма глубина проникновения скольжения имеет величины, близкие к величинам критических трещин Гриффитса, и поэтому если трещина растет, то она может черпать энергию из областей дислокационных напряжений. Но условия, способствующие такому росту трещин в результате того, что процесс статистический, вероятно, зависят от общего количества напряжений.

Это можно объяснить высокими напряжениями, необходимыми для того, чтобы интенсифицировать рост микротрещин в кристаллах, подвергнутых плазменному удару.

При охлаждении водой должна расти только одна микротрещина, при повторном термоударе она может разветвляться и весь кристалл может полностью разрушиться.

Предположение о том, что рост микротрещин происходит в результате воздействия дислокаций, где он имеет место, подтверждается картиной двойного лучепреломления.

Подчеркивается, что АВ и CD являются истинно изохроматическими и, наоборот, картина в точке Z существует благодаря изоклинизму.

Даже обработка поверхности с микротрещинами химическим полированием не дает улучшения. Причиной этого может быть либо плохое сцепление границ зерен, либо границы зерен содержат микротрещины, либо имеются трещины на границах из-за взаимодействия дислокаций.

В облученном бикристалле предел текучести увеличивается, но в нем может увеличиваться также прочность при изгибе. Следовательно, должно быть взаимодействие с границами, которое вызывает растрескивание.

Точный механизм этого явления не определен, хотя, очевидно, возможен механизм Зенера.

Однако последний не может полностью объяснить происходящий процесс, так как возможно существование дефектов на границе роста в результате их взаимодействия с дислокациями. Термический удар может вызвать рост микротрещин, размеры которых меньше критического за счет механизма пластического течения.

Если микротрещины до термоудара удаляются, кристаллы не разрушаются под действием термоудара при охлаждении водой.