Водяное охлаждение

Водяное охлаждениеВ случае термоудара плазма глубина проникновения скольжения имеет величины, близкие к величинам критических трещин Гриффитса, и поэтому если трещина растет, то она может черпать энергию из областей дислокационных напряжений. Но условия, способствующие такому росту трещин в результате того, что процесс статистический, вероятно, зависят от общего количества напряжений.

Это можно объяснить высокими напряжениями, необходимыми для того, чтобы интенсифицировать рост микротрещин в кристаллах, подвергнутых плазменному удару.

При охлаждении водой должна расти только одна микротрещина, при повторном термоударе она может разветвляться и весь кристалл может полностью разрушиться.

Предположение о том, что рост микротрещин происходит в результате воздействия дислокаций, где он имеет место, подтверждается картиной двойного лучепреломления.

Подчеркивается, что АВ и CD являются истинно изохроматическими и, наоборот, картина в точке Z существует благодаря изоклинизму.

Даже обработка поверхности с микротрещинами химическим полированием не дает улучшения. Причиной этого может быть либо плохое сцепление границ зерен, либо границы зерен содержат микротрещины, либо имеются трещины на границах из-за взаимодействия дислокаций.

В облученном бикристалле предел текучести увеличивается, но в нем может увеличиваться также прочность при изгибе. Следовательно, должно быть взаимодействие с границами, которое вызывает растрескивание.

Точный механизм этого явления не определен, хотя, очевидно, возможен механизм Зенера.

Однако последний не может полностью объяснить происходящий процесс, так как возможно существование дефектов на границе роста в результате их взаимодействия с дислокациями. Термический удар может вызвать рост микротрещин, размеры которых меньше критического за счет механизма пластического течения.

Если микротрещины до термоудара удаляются, кристаллы не разрушаются под действием термоудара при охлаждении водой.

Комментарии запрещены.