В этих кристаллах имеется множество пор диаметром ~1 мкм, что подтверждается данными, на кривых которого можно заметить два участка. Один из них показывает увеличение диэлектрической проницаемости с увеличением плотности, а второй – уменьшение диэлектрической проницаемости с увеличением размера кристалла.

Максимальная величина е действительно намного выше, чем обычная величина для грубокристаллического BaTi03, хотя наш метод приготовления не приводил к получению величин, о которых докладывали Хейянг и Кнайпкамп.

Интересно отметить, что температуры, при которых наблюдается одинаковое уплотнение, и температуры, при которых начинают расти кристаллы, тем выше, чем больше содержание ТЮ2. При избытке ТЮ2 4% температуру, при которой образуются крупные кристаллы, в настоящем исследовании достичь не удалось.

Электронно-микроскопические фотографии, показывающие размеры кристаллов на различных стадиях спекания. В ранее опубликованном методе Кнайпкампа и Хейянга максимальная рекомендуемая температура обжига составляла 1320° С, потому что при более высоких температурах появлялась жидкая фаза.

В настоящем исследовании использовали более высокие температуры при выдержке в течение 1 ч, но из-за большого избытка ТЮ2 результаты не изменились.

Однако после длительного нагревания появлялась отчетливо видимая жидкая фаза, которая медленно перемещалась к нижней части образцов. В таких образцах мы можем различать две области: наверху сухую часть с мелкими кристаллами и внизу влажную часть с крупными кристаллами без пор, вероятно, образовавшихся в результате рекристаллизации из расплава.

Хейянг и Кнайпкамп рассматривали вторую фазу, образованную избытком ТЮ2, как слой, препятствующий росту кристаллов.

Это может быть справедливо при температурах 1320° С, когда возможно образование эвтектического расплава состава. Этот расплав может образовать пленку, разделяющую кристаллы.